[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200410035147.0 | 申请日： | 1995-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1607652A | 公开（公告）日： | 2005-04-20 |
| 发明（设计）人： | 宫城雅记;小西春男;久保和昭;小岛芳和;清水亭;齐藤丰;町田透;金子哲也 | 申请（专利权）人： | 精工电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括下列步骤：在基片表面上的第一导电类半导体区表面上形成场绝缘膜；在半导体区的第一和第二晶体管区的表面上，形成光刻胶，用于选择形成具有不同厚度的栅绝缘膜的区域；对应光刻胶形状形成具有不同厚度的栅绝缘膜；在第一和第二晶体管区的表面上形成沟道杂质区；在栅绝缘膜上构成栅电极图形；在第一晶体管区表面上形成第二导电类的源区和漏区，因而，用栅电极将它们分开；在栅电极上形成中间层绝缘膜；形成穿过中间绝缘膜的连接孔；和构成金属化布线图形，并覆盖在连接孔上；分割栅绝缘膜，在同一沟道上的源区与漏区之间，构成平面形的至少多个具有第一和第二厚度的栅绝缘膜区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于包括下列步骤：在基片表面上的第一导电类半导体区表面上形成场绝缘膜；在半导体区的第一和第二晶体管区的表面上，形成光刻胶，用于选择形成具有不同厚度的栅绝缘膜的区域；对应光刻胶形状形成具有不同厚度的栅绝缘膜；在第一和第二晶体管区的表面上形成沟道杂质区；在栅绝缘膜上构成栅电极图形；在第一晶体管区表面上形成第二导电类的源区和漏区，因而，用栅电极将它们分开；在栅电极上形成中间层绝缘膜；形成穿过中间绝缘膜的连接孔；和构成金属化布线图形，并覆盖在连接孔上；分割栅绝缘膜，在同一沟道上的源区与漏区之间，构成平面形的至少多个具有第一和第二厚度的栅绝缘膜区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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