[发明专利]半导体存储器件无效
| 申请号： | 200410035292.9 | 申请日： | 2004-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN1551234A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 朴仁圭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 吕晓章;马莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种包括多个含有连接在多个字线和多个位线对之间的多个存储单元的存储单元阵列块的半导体存储器件，该器件包括：每一个存储器单元阵列块，包括具有响应多个写控制信号而传送数据的多个第一传输晶体管和响应多个读控制信号而传送数据的多个第二传输晶体管的列选择电路；以及预充电和写控制电路，用于在预充电操作期间响应预充电使能信号对读出位线对进行预充电和均衡、在读操作期间响应写使能信号和多个列选择信号而产生多个读控制信号、并且在写操作期间响应块选择信号、写使能信号、预充电使能信号和多个列选择信号产生多个写控制信号。因此，由于在写操作期间不操作读出位线对，所以降低了功率消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1、一种包括多个含有连接在多个字线和多个位线对之间的多个存储单元的存储单元阵列块的半导体存储器件，该器件包括：每一个存储器单元阵列块，包括具有多个第一传输晶体管和多个第二传输晶体管的列选择电路，所述多个第一传输晶体管用于响应多个写控制信号在多个位线对中所选择的位线对和写入位线对之间传送数据，所述多个第二传输晶体管用于响应多个读控制信号在所选择的位线对和读出位线对之间传送数据；以及预充电和写控制电路，用于在预充电操作期间响应预充电使能信号对读出位线对进行预充电和均衡，在读操作期间响应写使能信号和多个列选择信号产生多个读控制信号，并且在写操作期间响应块选择信号、写使能信号、预充电使能信号和多个列选择信号产生多个写控制信号。
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