[发明专利]半导体元件、半导体器件以及其制作方法

摘要

本发明的目的是提供制作有微细结构的半导体元件；以及该微细结构的半导体元件被高集成化了的半导体器件的方法，该方法克服了由于定位精度；缩小投影曝光的加工技术的精度；抗蚀膜掩膜的完成尺寸；以及蚀刻技术引起的成品率问题。本发明在制作具有微细结构的半导体元件中，具有以下特征：形成覆盖栅电极的绝缘膜；并使源区和漏区暴露出来；在其上形成导电膜；在该导电膜上涂敷抗蚀膜以形成膜的厚度不同的抗蚀膜，将该整个抗蚀膜曝光并执行显像，或蚀刻该整个抗蚀膜以形成抗蚀膜掩膜；使用该抗蚀膜掩膜蚀刻导电膜以形成源电极和漏电极。

主权项

1.一种半导体元件的制作方法，它包括以下步骤：在半导体区域上形成栅绝缘膜；在所述半导体区域上形成栅电极，二者中间夹所述栅绝缘膜；形成覆盖所述栅电极的绝缘膜；暴露出所述半导体区域的一部分；在暴露出所述半导体区域的一部分后，在所述半导体区域上形成导电膜；在所述导电膜上形成抗蚀膜；除去所述抗蚀膜的一部分以形成抗蚀膜掩膜；用所述抗蚀膜掩膜蚀刻所述导电膜的一部分；以及对该被蚀刻了的导电膜的一部分执行蚀刻。