[发明专利]一种对NAND flash存储器进行物理损坏模拟的系统及其方法有效

专利信息
申请号: 200410035405.5 申请日: 2004-07-13
公开(公告)号: CN1595537A 公开(公告)日: 2005-03-16
发明(设计)人: 刘刚 申请(专利权)人: 海信集团有限公司;青岛海信通信有限公司
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 266071*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 一种对NAND flash存储器进行物理损坏模拟的系统及其方法,采用串口通信,应用上位机和下位机建立通讯连接,将检测模块通过上位机下载到下位机中,启动并运行,通过和上位机的交互,可以看到下位机存储器中已经存在的真实的物理坏块,用户可以制定操作序列,增加存储器的模拟坏块,并能够过程可逆,操作序列通过批处理方式执行,就可以模拟出产生物理损坏的NAND存储器,从而为研发人员提供了一个存储器出错处理的可实验平台,大大提高了生产、研发效率。
搜索关键词: 一种 nand flash 存储器 进行 物理 损坏 模拟 系统 及其 方法
【主权项】:
1.一种对NAND flash存储器进行物理损坏模拟的系统,该系统包括作为上位机的计算机,下位机是采用NAND flash存储器的电子设备,连接上位机和下位机的数据线,其特征在于还包括:用户对存储器中某些块生成模拟坏块或者取消模拟坏块的指令编辑装置;接收上位机控制指令,并给在存储器某些块上添加上一个特定字符标记或者取消这个字符标记的NAND控制器传送数据的检测模块;显示存储器动态模拟坏块状况的察看装置。
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