[发明专利]一种锑掺杂多元氧化物透明导电膜的制备方法无效
| 申请号： | 200410035913.3 | 申请日： | 2004-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1600895A | 公开（公告）日： | 2005-03-30 |
| 发明（设计）人： | 马瑾;黄树来;马洪磊 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C04B35/453 |
| 代理公司： | 济南金海诺知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周慰曾 |
| 地址： | 250100山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种锑掺杂的多元氧化物透明导电薄膜的制备方法，属于电子材料技术领域。在Zn－Sn－O薄膜中进行锑掺杂，用射频磁控溅射技术在真空条件下制备出具有多晶结构的Zn－Sn－O:Sb透明导电膜，溅射用陶瓷靶组分为氧化锌、氧化锡和三氧化二锑；制备工艺条件为：氩气分压0.5－5Pa，氧气分压0－6mPa，溅射功率50－200W，温度150－450℃。本发明的复合透明导电薄膜材料兼备ZnO在氢等离子体中稳定性好和SnO2电学稳定性高的优点，同时价格低而且无毒，应用范围增大，应用前景广阔，可替代目前大量使用的ITO薄膜，可节约大量贵重金属铟。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 多元 氧化物 透明 导电 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、锑掺杂多元氧化物透明导电薄膜材料的制备方法，其特征在于在Zn-Sn-O薄膜中进行锑掺杂，用射频磁控溅射技术在真空条件下制备出具有多晶结构的Zn-Sn-O:Sb透明导电膜，溅射用陶瓷靶组分如下，均为摩尔份：氧化锌 1-2份，氧化锡 1-2份，三氧化二锑 0.03-0.1份；Zn-Sn-O:Sb透明导电膜制备工艺条件为：氩气分压0.5-5Pa，氧气分压0-6mP，溅射功率50-200W，温度150-450℃。
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