[发明专利]铟镓砷光电探测器芯片制作的箱式锌扩散方法有效
| 申请号： | 200410036170.1 | 申请日： | 2004-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1767152A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 徐之韬;邱树添 | 申请（专利权）人： | 厦门三安电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L31/18 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了铟镓砷光电探测器芯片制作的箱式锌扩散方法：将锌扩散源和扩散晶片放入位于扩散管中的石英箱中，经抽真空/充氮气循环，在氮气保护气体中进行锌扩散，用这种方法获得的芯片不仅和真空封管扩散所获得的芯片具有同样的均匀性，重复性和光电特性，而且工艺简单，方便，安全，成本低，适合于大批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 铟镓砷 光电 探测器 芯片 制作 箱式 扩散 方法 | ||
【主权项】：
1.铟镓砷光电探测器芯片制作的箱式锌扩散方法，其特征在于包括以下步骤：(1)将锌扩散源和扩散晶片放入位于扩散石英管中的石英箱中；(2)将扩散石英管抽真空/通氮气循环后，保持常压氮气流量；(3)将扩散炉推进扩散石英管进行高温扩散，扩散时间为10-60分钟，扩散温度为摄氏450--600度；(4)扩散完毕，推出扩散炉；(5)冷却至室温后取片。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门三安电子有限公司，未经厦门三安电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410036170.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：低噪音柴油发电机组
- 下一篇：显示器影像卷动控制装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
