[发明专利]用于铟镓砷/磷化铟平面PIN光电探测器芯片制作的外延片结构

摘要

本发明公开一种制造长波长光通信用铟镓砷/磷化铟平面PIN光电探测器芯片的III－V族化合物半导体材料；在进行铟镓砷/磷化铟平面PIN光电探测器芯片制作中，外延片结构决定了芯片的基本光电特性，制作这种芯片的外延片顶层常用磷化铟材料；本发明提供了一种新的外延片结构：其顶层不是磷化铟二元层，而是Ga_xIn_1－xAs_yP_1－y四元层，采用该结构制作的平面PIN光电探测器不仅具有高的稳定可靠性，高响应度，低暗电流，而且还具有高工作速率，宽动态范围和低工作电压。

主权项

1.用于铟镓砷/磷化铟平面PIN光电探测器芯片制作的外延片结构，在磷化铟衬底上依次由以下层次构成：(1)第一层：磷化铟缓冲层；(2)第二层：镓铟砷(GaInAs)吸收层；(3)第三层：磷化铟“光窗”层；(4)第四层：GaxIn1-xAsyP1-y接触层，截止波长为1.1-1.6微米。