[发明专利]一种用于半导体芯片制作中的图形电极金属膜剥离方法无效
| 申请号： | 200410036172.0 | 申请日： | 2004-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN1767153A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 徐之韬;邱树添 | 申请（专利权）人： | 厦门三安电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/44;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 厦门原创专利事务所 | 代理人： | 徐东峰 |
| 地址： | 361009福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种用于半导体芯片制作中的图形电极金属膜剥离方法。当半导体芯片电极采用化学方法代以腐蚀的金属膜时，图形电极只好采用剥离方法获得。本发明提供了一种采用双层正性光刻胶作为剥离介质的新方法：本方法的特点是得到“倒台”光刻胶剖面，使电子束蒸发后的金属膜的剥离变得十分容易；采用该方法所得到图形电极完好，边缘清晰，附着力牢；方法简单易行，工艺可靠；适合于半导体芯片制作中多层金属膜图形电极的制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 芯片 制作 中的 图形 电极 金属膜 剥离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体芯片制作中的图形电极金属膜剥离方法，由以下主要步骤构成：(1)涂第一层正性光刻胶，烘烤；烘烤温度是摄氏80-100度，时间是10-60分钟；(2)涂第二层正性光刻胶；烘烤；(3)图形暴光；显影；时间是10-60秒；(4)电子束蒸发电极金属膜；(5)电极金属膜剥离；(6)丙酮超声，去离子水冲洗，N2吹干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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