[发明专利]Cu－Ni－Si合金及其制造方法无效
| 申请号： | 200410036828.9 | 申请日： | 2004-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN1540013A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 石川泰靖;新见寿宏;波多野隆绍 | 申请（专利权）人： | 日矿金属加工株式会社 |
| 主分类号： | C22C9/06 | 分类号： | C22C9/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 胡强;杨松龄 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种兼具高强度及高导电性的电子材料用Cu－Ni－Si合金，其特征在于，在含有1.0～4.5质量％(以下为％)的Ni、0.25～1.5％的Si、其余是由Cu及不可避免的杂质构成的铜基合金中，在Ni和Si的质量浓度为[Ni]、[Si]时，Ni与Si的质量浓度比(以下为[Ni]/[Si])为4～6、并且是使(式1)所定义的x为0.1～0.45的[Ni]、[Si]，([Ni]－4x)2([Si]－x)＝1/8……(式1)。 | ||
| 搜索关键词： | cu ni si 合金 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种兼具高强度及高导电性的Cu-Ni-Si合金，其特征在于，在含有1.0～4.5质量％(以下为％)的Ni、0.25～1.5％的Si、其余是由Cu及不可避免的杂质构成的铜基合金中，在Ni和Si的质量浓度为[Ni]、[Si]时，Ni与Si的质量浓度比(以下为[Ni]/[Si])为4～6，并且是使(式1)所定义的x为0.1～0.45的[Ni]、[Si]，([Ni]-4x)2([Si]-x)＝1/8……(式1)。
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