[发明专利]射束照射装置、射束照射方法及半导体装置的制作方法有效
| 申请号： | 200410036918.8 | 申请日： | 2004-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN1540720A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;田中幸一郎;宫入秀和 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/324;G02F1/1368;G09F9/00;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 徐谦;叶恺东 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在由电反射镜及多面反射镜等扫描单元来扫描的激光的速度，扫描幅度的中心部与端部的速度不相同。其结果是，在被照射物(比如非晶质半导体膜)上会照射过多的能量，可能造成膜被剥离等。为此，本发明的特征在于：在由扫描单元等来使连续输出的能量射束在被照射物上的激光点往复运动来扫描的场合下，光点的扫描速度超出规定值(比如速度不稳定，增加、减少及成为零速)的场合(比如扫描方向改变的位置，或扫描开始位置及扫描结束位置)下的射束，照射到元件形成区之外。 | ||
| 搜索关键词： | 照射 装置 方法 半导体 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种射束照射装置，具有：在被照射物上从一端向另一端扫描连续输出的能量射束的单元；控制上述被照射物的位置，以便在上述一端及上述另一端，对上述被照射物上的元件形成区之外照射上述射束的单元，该射束照射装置的特征在于：上述扫描单元具有镜面体，上述镜面体被配置到上述射束光轴上并固定在轴上，以上述轴为中心进行振动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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