[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200410036954.4 | 申请日： | 2004-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN1540864A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 北泽元泰;铃木康文;富田泰弘 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0175 | 分类号： | H03K19/0175;H03K19/003;H03K19/0944 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有容限缓冲电路的半导体装置，在从输出模式切换为输入模式时，使上拉侧的晶体管高速地变为截止状态。该半导体装置具有三态缓冲电路，该三态缓冲电路在输出级至少具有上拉驱动用的第一晶体管(P1)和下拉驱动用的第二晶体管(N1)，当控制信号(EN)表示使能状态时，根据数据信号而使输出成为高电平或低电平，当控制信号(EN)表示禁止状态时，使输出成为高阻抗状态，其特征在于，具有控制单元(120、P6、P7)，该控制单元进行控制，使得当控制信号(EN)从使能状态向禁止状态切换时，加速第一晶体管(P1)从导通状态向截止状态的转变。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有三态缓冲电路，该三态缓冲电路在输出级至少具有上拉驱动用的第一晶体管和下拉驱动用的第二晶体管，当控制信号为表示使能状态的值时，根据数据信号而使输出成为高电平或低电平，当上述控制信号为表示禁止状态的值时，使上述第一和第二晶体管截止，使输出成为高阻抗状态，其特征在于，具有控制电路，该电路进行如下控制，使得当上述控制信号从使能状态向禁止状态切换时，加速上述第一晶体管从导通状态向截止状态的转变。
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