[发明专利]以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其光罩图案无效
| 申请号： | 200410037914.1 | 申请日： | 2004-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN1697133A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 曾章和;张世昌;蔡耀铭;洪郁婷;李光振 | 申请（专利权）人： | 统宝光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/324;H01L21/36;H01L21/477;C30B28/02;C30B29/06;G02F1/13 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种以连续式侧向固化法形成多晶硅膜的方法及其使用的光罩图案，其中，光罩图案包括：一结晶图案部，用以定义一投射至非晶硅膜的激光束的能量，以使非晶硅膜形成一多晶硅膜；及一再结晶补偿部，与结晶图案部相邻，用以定义投射至多晶硅膜的激光束能量，以改善被激光束照射的多晶硅膜的结晶，激光束的能量会被衰减或不衰减。 | ||
| 搜索关键词： | 连续 侧向 固化 形成 多晶 方法 及其 图案 | ||
【主权项】：
1.一种光罩图案，适用于连续式侧向固化法中的非晶硅膜的结晶步骤，包括：一结晶图案部，用以定义一照射至该非晶硅膜的激光束的图案，以使该非晶硅膜形成一多晶硅膜；及一再结晶补偿部，与该结晶图案部相邻，用以定义该照射至该多晶硅膜的激光束。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于统宝光电股份有限公司，未经统宝光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410037914.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：治疗疱疹的外用制剂
- 下一篇：半导体工艺中淀积铝填充亚微米孔的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
