[发明专利]一种利用SiN膜原位制备图形衬底的方法无效
| 申请号： | 200410037945.7 | 申请日： | 2004-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1697134A | 公开（公告）日： | 2005-11-16 |
| 发明（设计）人： | 陈弘;郭丽伟;王晶;汪洋;邢志刚;周均铭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/205;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王凤华 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用SiN膜原位制备图形衬底的方法，包括：使用常规的两步生长法，在衬底上外延生长GaN缓冲层；在此GaN缓冲层上，使用常规的外延方法，在600～1200℃淀积厚度为1～10nm、非均匀地分布有孔洞的SiN膜层。所述的两步生长法为先在500～700℃生长8～40nm厚的GaN或AlN成核层；然后在700～1200℃生长100nm～3μm厚的GaN或AlxGa1－xN层，其中0＜x＜1。利用本发明提供的方法得到的图形衬底，在SiN膜层上的孔洞的线度尺寸为8～80nm，分布密度为5×109～1×1011/cm2。在其上外延的GaN材料的质量较好，能降低GaN基外延层中的穿透位错密度；且本方法工艺简单易行，可以减少对衬底的污染和损伤，又可以降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 sin 原位 制备 图形 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用SiN膜原位制备图形衬底的方法，包括如下的步骤：1)制备GaN缓冲层：使用常规的两步生长法，在衬底上外延生长GaN缓冲层；2)制备SiN膜层：在步骤1)制得的GaN缓冲层上，使用常规的外延方法，在600～1200℃淀积厚度为1～10nm、非均匀地分布有孔洞的SiN膜层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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