[发明专利]等离子体处理装置及其控制方法

摘要

本发明提供一种等离子体处理装置及其控制方法，它能够原样维持运转状态从处理室中除去附着物。在即将开始对晶片的等离子体处理之前，对下部电极施加过冲电压。通过该过冲电压，除去在下部电极的周边部附着堆积的附着物，所以可防止在等离子体刚点火后在处理室内的异常放电的发生。过冲电压是例如通过调整匹配器的电抗而被生成。

主权项

1.一种在处理室中产生等离子体来处理被处理体的等离子体处理装置，其特征在于，具有：在所述处理室内配置的第一电极；在所述处理室内的配置在与所述第一电极相对的位置的第二电极；属于向所述第一电极供给第一电力的第一电力源的第一电力系统；属于向所述第二电极供给第二电力的第二电力源的第二电力系统；和控制所述第一电力系统和所述第二电力系统的控制部，所述控制部，控制所述第一电力系统和所述第二电力系统的两方或者其中任何一方，使得在对所述处理室内的被处理体开始等离子体处理之前的规定期间，相对所述第二电极，施加比所述被处理体的等离子体处理中向所述第二电极施加的电压还高的处理前电压。