[发明专利]半导体器件的制造方法和半导体器件有效
| 申请号： | 200410037992.1 | 申请日： | 2004-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1574298A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 佐藤英纪;冈崎勉 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/336;H01L27/115;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法和半导体器件。提供在具有使用氮化膜作为电荷存储层的非易失性存储器的半导体器件中可以提高可靠性，特别是可以提高数据保持性的技术。在衬底(1)的第1区域上中间隔着栅极绝缘膜(3)地形成选择用nMISQnc的控制栅极电极(CG)，在第2区域上中间隔着绝缘膜(6b)，并使其含氢浓度小于或等于1020cm－3地形成存储器用nMISQnm的电荷存储层(CSL)，并在形成了绝缘膜(6t)之后，在第2区域上中间隔着绝缘膜(6b、6t)和电荷存储层(CSL)地形成存储器用nMISQnm的存储器栅极电极(MG)，向选择用nMISQnc和存储器用nMISQnm邻接的区域注入杂质，形成构成存储单元的漏极区域(Drm)和源极区域(Srm)的半导体区域(2a)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，上述半导体器件具有在半导体衬底的主平面的第1区域含有第1场效应晶体管、在第2区域含有与上述第1场效应晶体管邻接的第2场效应晶体管的非易失性存储单元，其特征在于：具有(a)在上述第1区域上形成第1绝缘膜的步骤；(b)在上述第1区域上，中间隔着第1绝缘膜地形成第1场效应晶体管的第1栅极电极的步骤；(c)在上述第2区域上形成第2绝缘膜的步骤；(d)在上述第2区域上中间隔着第2绝缘膜、使其含氢浓度小于或等于1020cm-3地形成第2场效应晶体管的电荷存储层的步骤；(e)在上述第2区域上中间隔着上述第2绝缘膜和上述电荷存储层地形成上述第2场效应晶体管的第2栅极电极的步骤；(f)向上述第1场效应晶体管和上述第2场效应晶体管邻接的区域，注入杂质形成第1导电型杂质区域的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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