[发明专利]电阻型随机存取内存的结构及其制造方法

摘要

本发明是关于一种电阻型随机存取内存的结构，其包括数条字符线，配置在一基底中；数条重设线，配置在对应的字符线中，且重设线的离子型态是与字符线的离子型态相反；一介电层，配置在基底上；数个内存单元，配置在介电层中，并且每一内存单元包括一下电极、一上电极以及一电阻薄膜，且相同一列的内存单元的下电极是与对应的其中一重设线电性接触；以及数条位线，配置在内存单元上，其中相同一行的内存单元的上电极是与其中一位线电性接触。由于重设线的设置，因此本发明以二极管操作的内存组件可以进行程序化以及重新设定的操作。

主权项

1、一种电阻型随机存取内存的结构，其特征在于其包括：复数条字符线，配置在一基底中；复数条重设线(Reset Line)，其是与该些字符线邻接；一介电层，配置在该基底上；复数个内存单元，配置在该介电层中，其中每一该些内存单元包括一下电极、一上电极以及夹在该上电极以及该下电极之间的一电阻薄膜，且相同一列的该些内存单元的该下电极是与其中一该些重设线电性接触；以及复数条位线，配置在该些内存单元上，其中相同一行的该些内存单元的该上电极是与其中一该些位线电性接触。