[发明专利]半导体器件的制造方法无效
申请号: | 200410038137.2 | 申请日: | 2004-05-08 |
公开(公告)号: | CN1551323A | 公开(公告)日: | 2004-12-01 |
发明(设计)人: | 桐谷美佳;田久真也;饭冢和宏 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/607 | 分类号: | H01L21/607;H01L21/56 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体器件的制造方法,在一揽子地同时进行倒装芯片接合和树脂密封的工序中,在用超声波振动把在芯片上形成的突点电连到布线基板的焊盘上,同时,对上述芯片与上述布线基板之间进行树脂密封时,消除导通不良以提高可靠性。在用超声波振动把在芯片1上形成的突点3或焊盘倒装芯片接合到布线基板10的焊盘4或焊盘之上的突点上,同时,在上述芯片与上述布线基板之间形成树脂密封体时,在硬化前的低粘度区域中使突点3贯通树脂密封用树脂5。采用在使突点从密封用树脂贯通后再连接到焊盘上的办法,就可以充分地确保其连接性。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件的制造方法,在一揽子地进行通过突点电极把半导体芯片和布线基板电连起来的倒装芯片接合和树脂密封的半导体器件的制造方法中,其特征在于:在借助于超声波振动控制树脂密封用树脂的粘度使上述突点电极贯通上述树脂密封用树脂的同时,用上述超声波振动,把上述突点电极电连到上述半导体芯片或上述布线基板的别的突点电极上,或者电连到上述半导体芯片的连接电极或上述布线基板的连接电极中的任何一者上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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