[发明专利]反铁磁非晶基体纳米晶高密度存储材料的制备方法无效
| 申请号： | 200410038273.1 | 申请日： | 2004-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1581384A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 赵言辉;赵德乾;潘明祥;汪卫华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;C22C38/00;C22C1/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种反铁磁非晶基体纳米晶高密度存储材料的制备方法，它利用铁基非晶良好的玻璃形成能力、宽的过冷液相区，通过成分搀杂及控制冷却速率直接析出铁磁性纳米颗粒，并且使这些纳米颗粒均匀分布在具有反铁磁性能的非晶基体上，通过铁磁性与反铁磁性的相互耦合而产生的额外的各向异性能来提高纳米铁磁颗粒的热稳定性，从而来制备出具有较高热稳定性的磁性纳米颗粒来实现存储功能，提高了磁性存储材料的存储密度。 | ||
| 搜索关键词： | 反铁磁非晶 基体 纳米 高密度 存储 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种反铁磁非晶基体纳米晶高密度存储材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)制备母合金：母合金成分为Fea-Zrb-Moc-Wd-Be，其中a、b、c、d、e按原子百分比的变化范围为：50≤a≤80、5≤b≤15、1≤c≤10、5≤d≤20、5≤e≤20且a+b+c+d+e＝100，在钛吸附的氩气氛的电弧炉中，按所需要的原子配比将上述组份中的Fe、Zr、Mo、W和B熔炼，混合均匀，冷却后得到母合金铸锭；2)吸铸合金：使用常规的金属型铸造法，将母合金铸锭重新熔化，利用电弧炉中的吸铸装置，将母合金的熔体吸入水冷铜模，得到纳米复合材料的合金。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410038273.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
