[发明专利]硅的结晶方法有效
| 申请号： | 200410038353.7 | 申请日： | 2004-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1573427A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 俞载成 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13;G09G3/36 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;祁建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种硅的结晶方法包括制备一其上形成有非晶硅薄膜的基板；在形成于基板上的非晶硅薄膜的第一区域上方对准具有第一能量区域和第二能量区域的掩模；将激光束穿过掩模的第一和第二能量区域照射到非晶硅薄膜的第一区域上；穿过掩模的第一能量区照射激光束，使非晶硅薄膜的第一区域结晶；以及穿过第二能量区照射激光束来激活结晶的第一区域。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅的结晶方法，包括：制备一其上形成有非晶硅薄膜的基板；在形成于基板上的非晶硅薄膜的第一区域上方对准具有第一能量区域和第二能量区域的掩模；将激光束穿过掩模的第一和第二能量区域照射到非晶硅薄膜的第一区域上；穿过掩模的第一能量区域照射激光束，使非晶硅薄膜的第一区域结晶；以及穿过第二能量区域照射激光束来激活结晶的第一区域。
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