[发明专利]高耐电压的半导体器件以及制造该器件的方法无效
| 申请号： | 200410038567.4 | 申请日： | 2004-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1551369A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 饭田健 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;陆弋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种高耐电压半导体器件，它具有在一种导电类型半导体层中的栅极，漏极扩散层和源极扩散层，位于漏极扩散层和栅极之间的厚栅极绝缘层，以及在包括有漏极扩散层的区域中的相反导电类型的低浓度偏移扩散层。比半导体层具有更高浓度的一种导电类型掩埋层直接提供于与偏移扩散层的深度几乎相同的栅极之下。掩埋层分散了位于漏极结的电场集中，从而确保了高耐电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 半导体器件 以及 制造 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括有MOS晶体管的高耐电压半导体器件，包括：一种导电类型的半导体层；所述MOS晶体管的栅极，形成于所述半导体层上；所述MOS晶体管的相反导电类型的源极扩散层和漏极扩散层，形成于所述半导体层表面上；所述MOS晶体管的栅极绝缘层，其位于所述漏极扩散层和所述栅极之间的部分比其他部分形成得更厚；所述相反导电类型的偏移扩散层，形成于包含有所述漏极扩散层的区域中，并且具有较低的浓度；以及所述一种导电类型的掩埋层，以比所述偏移扩散层的深度更浅的深度直接形成于所述半导体层中的所述栅极之下，并且比所述半导体层具有更高的浓度。
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