[发明专利]用于垂直薄膜磁头的写入优先设计无效
| 申请号： | 200410038605.6 | 申请日： | 2004-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1551110A | 公开（公告）日： | 2004-12-01 |
| 发明（设计）人： | 雨果·A·E·桑蒂尼 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/265 | 分类号： | G11B5/265;G11B5/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种用于垂直记录和读取的磁头结构。磁头结构包括写入磁头部分，用于通过其方向基本上垂直于面向写入磁头部分的介质的表面的通量线将数据写入到磁介质上。写入磁头部分包括第一磁极片，该第一磁极片具有第一极端，探针磁极片，该探针磁极片具有探针极端，用于发出磁通量，位于磁极片之间的绝缘堆，以及嵌入在绝缘堆中的一个或多个写入线圈。在写入磁头部分之后制造的读取磁头部分耦接到写入磁头部分。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 垂直 薄膜 磁头 写入 优先 设计 | ||
【主权项】：
1.一种用于垂直记录和读取的磁头结构，包括：写入磁头部分，用于通过其方向基本上垂直于面向写入磁头部分的介质的表面的通量线将数据写入到磁介质上，该写入磁头部分包括：第一磁极片，第一磁极片具有第一极端；探针磁极片，探针磁极片具有探针极端，用于发出磁通量；位于磁极片之间的绝缘堆；以及至少一个写入线圈嵌入在绝缘堆中；以及在写入磁头部分之后制造的并耦接到写入磁头部分的读取磁头部分。
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