[发明专利]溶液淀积硫族化物薄膜有效
申请号: | 200410038606.0 | 申请日: | 2004-04-27 |
公开(公告)号: | CN1577742A | 公开(公告)日: | 2005-02-09 |
发明(设计)人: | D·B·米特兹 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 蔡胜有 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 淀积金属硫族化物膜的方法。该方法的第一种包括:将至少一种金属硫族化物,肼化合物,以及可选的硫族元素相接触,制备金属硫族化物基前体溶液;将金属硫族化物基前体溶液施加到衬底上制成前体膜;将此前体膜退火,去除多余的肼和硫族化物盐,在衬底上制成金属硫族化物膜。第二种方法包括:将至少一种金属硫族化物和胺化合物的盐相接触,制备该金属硫族化物铵基前体;将金属硫族化物铵基前体,肼化合物,以及可选的硫族元素相接触,制备金属硫族化物在这种肼化合物中的基前体溶液;将金属硫族化物基前体溶液施加到衬底上制成前体膜;退火制成金属硫族化物膜。还提供使用金属硫族化物膜沟道层的薄膜场效应晶体管器件。 | ||
搜索关键词: | 溶液 淀积硫族化物 薄膜 | ||
【主权项】:
1.淀积金属硫族化物膜的第一种方法,包括步骤:将至少一种金属硫族化物,一种肼化合物,以及可选的,一种选自S,Se,Te或者它们的组合的硫族元素,相接触,以制备一种该金属硫族化物的基前体溶液,这种肼化合物可用式子R1R2N-NR3R4表示,其中R1,R2,R3和R4中的每一个都是各自独立的选自氢,芳基,甲基,乙基或者一种3-6个碳原子的直链的,支链的或者环状的烷基;将所述金属硫族化物的所述基前体溶液施加到衬底上制成一种所述前体膜;然后将此前体膜退火,去除多余的肼和硫族化物盐,以在所述衬底上制成金属硫族化物膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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