[发明专利]溶液淀积硫族化物薄膜有效

专利信息
申请号: 200410038606.0 申请日: 2004-04-27
公开(公告)号: CN1577742A 公开(公告)日: 2005-02-09
发明(设计)人: D·B·米特兹 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L21/20 分类号: H01L21/20
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 蔡胜有
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 淀积金属硫族化物膜的方法。该方法的第一种包括:将至少一种金属硫族化物,肼化合物,以及可选的硫族元素相接触,制备金属硫族化物基前体溶液;将金属硫族化物基前体溶液施加到衬底上制成前体膜;将此前体膜退火,去除多余的肼和硫族化物盐,在衬底上制成金属硫族化物膜。第二种方法包括:将至少一种金属硫族化物和胺化合物的盐相接触,制备该金属硫族化物铵基前体;将金属硫族化物铵基前体,肼化合物,以及可选的硫族元素相接触,制备金属硫族化物在这种肼化合物中的基前体溶液;将金属硫族化物基前体溶液施加到衬底上制成前体膜;退火制成金属硫族化物膜。还提供使用金属硫族化物膜沟道层的薄膜场效应晶体管器件。
搜索关键词: 溶液 淀积硫族化物 薄膜
【主权项】:
1.淀积金属硫族化物膜的第一种方法,包括步骤:将至少一种金属硫族化物,一种肼化合物,以及可选的,一种选自S,Se,Te或者它们的组合的硫族元素,相接触,以制备一种该金属硫族化物的基前体溶液,这种肼化合物可用式子R1R2N-NR3R4表示,其中R1,R2,R3和R4中的每一个都是各自独立的选自氢,芳基,甲基,乙基或者一种3-6个碳原子的直链的,支链的或者环状的烷基;将所述金属硫族化物的所述基前体溶液施加到衬底上制成一种所述前体膜;然后将此前体膜退火,去除多余的肼和硫族化物盐,以在所述衬底上制成金属硫族化物膜。
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