[发明专利]照明源和掩模优化有效
| 申请号： | 200410038769.9 | 申请日： | 2004-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1591189A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | R·J·索查 | 申请（专利权）人： | ASML蒙片工具有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郑建晖 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种照明源优化，通过改变照明源强度和形状以在用户所选定的分裂点处使最小ILS最大化同时使在分裂点处强度在一个小强度范围之内的像面上形成图像，来优化照明源。一种掩模优化，通过改变衍射级量级幅值及相位以在用户所选定的分裂点处使最小ILS最大化同时使在分裂点处强度在一个小强度范围之内的像面上形成图像，来优化掩模。一种优化掩模，通过设定在优化透射掩模中最小透射区域a－1及最大透射区域a+1，优化掩模可用于创建一个CPL掩模。设置成具有掩模制品最小特征尺寸的基本矩形图元被分配到定位的为最小和最大透射区，并且以所需位置为中心被集中到一个理想的位置。改变该基本图元矩形的边界被改变以匹配适合优化衍射级O(m，n)。接着便从而形成了该优化CPL掩模OCPL(x，y)。 | ||
| 搜索关键词： | 照明 优化 | ||
【主权项】：
1、一种用于掩模照明的照明源优化方法，包括步骤：从照明源提供照明到若干源点及一预定掩模图案；在由提供到预定掩模图案的照明形成的像面上选择分裂点；确定每个分裂点处照明的强度和像斜率对数；确定一优化源作为照明源，其使该像斜率对数在所选定的分裂点处最大化并具有在预定范围之内的强度。
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