[发明专利]微结构键合工艺检测方法及检测结构无效
| 申请号： | 200410039025.9 | 申请日： | 2004-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1648634A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 阮勇;张大成;郝一龙;罗葵;王玮;李婷;贺学锋;胡维;王阳元 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G01N13/10 | 分类号： | G01N13/10 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 10087*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种微结构键合工艺结果的检测方法及用于该方法的检测结构。先设计包含微结构的硅结构版图；采用键合工艺方法制备微结构，硅结构和硅衬底或玻璃衬底通过键合面连接，硅结构至少有一端与键合面保有距离，并记录键合面积；用探针在没有键合的一端侧面推动硅结构，使之绕键合面发生形变直至单晶硅结构从键合面处断裂，并记录探针推点和键合面的距离和形变直至断裂过程的参数；根据所记录的上述数据，实现键合强度的检测。将复杂的MEMS器件检测技术，用简单的方法完成，解决了目前MEMS技术中微结构键合强度检测的难题，能满足多种MEMS器件加工时键合强度检测的需求。可应用于MEMS加工工艺技术领域。 | ||
| 搜索关键词： | 微结构 工艺 检测 方法 结构 | ||
【主权项】：
1、一种微结构键合工艺检测方法，其步骤包括：1)设计包含微结构的硅结构版图；2)采用键合工艺方法制备微结构，硅结构和硅衬底或玻璃衬底通过键合面连接，硅结构至少有一端与键合面保有距离，并记录键合面积；3)用探针在没有键合的一端侧面推动硅结构，使之绕键合面发生形变直至单晶硅结构从键合面处断裂，并记录探针推点和键合面的距离和形变直至断裂过程的参数；4)根据所记录的上述数据，实现键合强度的检测。
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