[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法和用于该面板的掩膜无效

专利信息
申请号: 200410039503.6 申请日: 2004-02-03
公开(公告)号: CN1519955A 公开(公告)日: 2004-08-11
发明(设计)人: 朴云用;李元熙;金一坤;林承泽;宋俞莉;田尚益 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/00;H01L21/336;G02F1/136
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 余刚;彭焱
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 沉积钝化层并形成光致抗蚀剂。该光致抗蚀剂包括厚度逐渐变小的第一至第三部分,第二部分位于漏极及一部分数据线之上,第三部分位于一部分数据线之上。形成这种光致抗蚀剂的掩膜置于第二部分对应的区域,具有宽度和间距约0.8-2.0μm的多个直线形狭缝。钝化层和其下的半导体层与光致抗蚀剂一同蚀刻,以露出第三部分下面栅极绝缘层部分和第二部分下面钝化层。除去钝化层和栅极绝缘层露出部分,同时露出漏极和栅极线及数据线和一部分半导体层,再除去露出的半导体层部分。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法 用于
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列面板,包括:形成于绝缘基板上的栅极线;形成在所述栅极线之上的栅极绝缘层;形成在所述栅极绝缘层上部的半导体层;形成在所述栅极绝缘层上部、其一部分与所述半导体层相接的数据线;具有覆盖所述数据线并露出所述数据线或所述栅极线部分边界线第一接触孔的钝化层;以及至少覆盖通过所述第一接触孔露出的所述栅极线或数据线末端部分边界并形成在所述钝化层上部的接触辅助副件。
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