[发明专利]带有读出放大器体系结构的半导体存储器无效
| 申请号： | 200410039622.1 | 申请日： | 2004-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1619697A | 公开（公告）日： | 2005-05-25 |
| 发明（设计）人： | 黄祥俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王志森;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体存储器件包括多个第一数据读出放大器和多个第二数据读出放大器。每个第一数据读出放大器是电压读出放大器，每个第一数据读出放大器与从位线读出放大器引出的第一类型的数据线关联。每个第二数据读出放大器包括电流读出放大器和电压读出放大器，每个第二数据读出放大器与从位线读出放大器引出的第二类型的数据线关联。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 读出 放大器 体系结构 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，其包括：多个第一数据读出放大器，每个第一数据读出放大器都是电压读出放大器，每个第一数据读出放大器与第一类型的数据线关联，而第一类型的数据线都引自位线读出放大器；以及多个第二数据读出放大器，每个第二读出放大器都包括电流读出放大器和电压读出放大器，每个第二数据读出放大器与第二类型的数据线关联，第二类型的数据线引自位线读出放大器。
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