[发明专利]双向薄膜磁阻磁带磁头装置无效
| 申请号： | 200410039685.7 | 申请日： | 1993-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1532813A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | T·A·舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 明尼苏达州采矿和制造公司 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈季壮 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种双向薄膜磁阻磁带磁头装置(180)。本发明通过以下方式最大限度地减少了对该磁头装置的磨损：(1)最大限度地减少该读取元件(186)及其相应的写出元件(198)之间的距离，(2)由硬材料制成该磁头装置，和(3)将一硬块件(50)置于该读取和写出元件之间。该磁头装置每数据磁道仅使用一副读取和写出元件，但各副之间彼此方向相反，以使该磁头装置能够在磁带上双向读写并行。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 薄膜 磁阻 磁带 磁头 装置 | ||
【主权项】：
1.一种双向薄膜磁带磁头装置(80)，包括：(a)第一磁头(120)，它包括：(i)读取模件(82)，包括第一基材(102)，置于该基材上的第一多元薄膜结构(122)，和覆盖第一多元薄膜结构的第一绝缘层(112)，其中该第一多元薄膜结构包括至少一个读取元件(92)；(ii)存入模件(84)，包括第二基材(104)，被置于该基材上的第二多元薄膜结构(124)，和覆盖该多元薄膜结构的第二绝缘层(114)，其中该第二多元薄膜结构包括至少一个写出元件(94)；和(iii)连接层(90)，介于该读取和写出模件之间，从而它们被固定在彼此相对的固定位置，以使该至少一个读取元件中的每一个沿磁带移动方向与相应的写出元件直线对准，从而该第一磁头能够在一个方向上读写并行；(b)第二磁头(130)，其中该第二磁头与该第一磁头相同，但它的取向与第一磁头相反，从而它能够在第一磁头的反方向上读写并行；和(c)装置(110)，它将第一磁头连接到第二磁头上以使该磁头装置能够双向读写并行。
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