[发明专利]强电介质存储元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410039795.3 | 申请日： | 2000-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1574287A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 下田达也;西川尚男 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8239;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种强电介质存储元件的制造方法包括：在形成了晶体管的衬底(10)的表面上，形成易于淀积强介质电容器部分的构件的材料的第1区域(24)，和比第1区域(24)难以淀积用于形成强介质电容器部分的材料的第2区域(26)的工序；以及对衬底(10)供给材料，在衬底(10)的第1区域(24)上形成第1电极(32)、强电介质膜(34)和第2电极(36)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 电介质 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种强电介质存储元件的制造方法，所述存储元件具备有基体材料、第1电极、强电介质膜和第2电极的层叠结构的电容器部分，其特征是具有以下工序：在所述基体材料的第1区域上形成表面修饰膜，使所述基体材料的第2区域表面从所述表面修饰膜露出，所述表面修饰膜与所述基体材料表面比较，具有这样的表面特性，用于形成构成所述电容器部分的第1电极、强电介质膜及第2电极的至少1个构件的材料被优先堆积；提供用于构成所述电容器部分的至少一个构件的材料，在所述第1区域上选择性地形成该构件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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