[发明专利]一种长余辉发光二极管及制作方法无效
| 申请号： | 200410039853.2 | 申请日： | 2004-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1674309A | 公开（公告）日： | 2005-09-28 |
| 发明（设计）人： | 杨越培 | 申请（专利权）人： | 杨越培 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 312016浙江省绍*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种长余辉发光二极管及制作方法。本发明的实现方法是在普通发光二极管内在不同位置设置长余辉储能发光荧光物质(也称夜光粉)的方式来实现的。该长余辉储能发光荧光物质(14)可以设置在发光二极管内的不同位置：例如设置在二极管晶体粘贴的基板(15)同一平面上，可以包封在二极管晶体(12)上，可以溶入包封二极管晶体的透明环氧树脂外壳(11)内，使二极管在断电后仍然能继续发光。长余辉储能发光荧光物质可以按照不同需要来设置或涂布或印刷在发光二极管内不同的位置，例如涂布在环氧树脂外壳上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 余辉 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
1一种长余辉发光二极管及制作方法，制作时，包含有环氧树脂外壳11、发光二极管晶体12、晶体金属内引线13、晶体装载基板15、晶体电连接外引线16，其特征是：长余辉发光二极管密封体内在不同的部位设置长余辉储能发光荧光材料14。
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