[发明专利]光掩膜及漫反射板有效
申请号: | 200410039930.4 | 申请日: | 2004-03-12 |
公开(公告)号: | CN1530743A | 公开(公告)日: | 2004-09-22 |
发明(设计)人: | 藤井幸男;六原行一 | 申请(专利权)人: | 彩辉科技股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F7/20;G02B5/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 包于俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 对于本发明的光掩膜,是在由中心点11-19、31、34、37、21、22、23构成的多罗耐三角形群中,配置单位区域R1内的中心点11-19,使多罗耐三角形的面积的平均值A及标准偏差B为规定的数值范围内。这样一来,得到具有即使在边界线Bd2、Bd3附近在单位区域间也没有接缝的图形配置的光掩膜,能够在不产生干涉条纹和不均匀的状态下制造反射辉度高的漫反射板。 | ||
搜索关键词: | 光掩膜 漫反射 | ||
【主权项】:
1.一种光掩膜,具有将配置了经配置多个孤立图形的中心点的长方形、平行四边形、或六边形的单位区域相邻连接并重复配置而成的图形区域,其特征在于,设定由所述单位区域内的所述中心点构成的多个多罗耐三角形、与横跨所述单位区域跟相邻连接的其他单位区域的边界线而构成的多个多罗耐三角形的面积的总和与所述单位区域的面积相同的多罗耐三角形群,假设构成该三角形群的多个多罗耐三角形的面积的平均值为A、标准偏差为B时,配置所述中心点使得满足以下条件:(1)70μm2≤A≤120μm2 (2)0.05≤B/A≤0.25
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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