[发明专利]多晶硅化金属栅极结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200410039968.1 | 申请日： | 2004-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN1670921A | 公开（公告）日： | 2005-09-21 |
| 发明（设计）人： | 刘汉兴 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是指一种多晶硅化金属栅极结构及其制造方法，该制造方法包括下列步骤：(a)提供一基板；(b)分别形成一多晶硅层及一硅化金属层于该基板上方；(c)去除部分的该硅化金属层，藉以限定一硅化金属结构；(d)形成一保护层于该多晶硅层上，并覆盖住该硅化金属结构；(e)去除该保护层与该多晶硅层及该硅化金属结构接触的水平部分，以形成一保护结构；(f)去除未被该硅化金属结构及该保护结构所覆盖的该多晶硅层，藉以限定一多晶硅结构；以及(g)氧化该多晶硅结构，使该多晶硅结构的侧面形成一绝缘结构。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 金属 栅极 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅化金属栅极的制造方法，该制造方法包括下列步骤：(a)提供一基板；(b)分别形成一多晶硅层及一硅化金属层于该基板上方；(c)去除部份的该硅化金属层，藉以限定一硅化金属结构；(d)形成一保护层于该多晶硅层上，并覆盖住该硅化金属结构；(e)去除该保护层与该多晶硅层及该硅化金属结构接触的水平部份，以形成一保护结构；(f)去除未被该硅化金属结构及该保护结构所覆盖的该多晶硅层，藉以限定一多晶硅结构；以及(g)氧化该多晶硅结构，使该多晶硅结构的侧面形成一绝缘结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
