[发明专利]单片光电集成光接收器制作中消除应力和损伤的方法

摘要

本发明提供的单片光电集成光接收器制作中消除应力和损伤的方法，它是通过采用功率密度很高的激光束照射半导体表面需要退火的区域，在照射区将产生温度随时间的变化率很大、持续时间短的骤冷、骤热过程；将该温度骤变过程控制在合适的变化范围，就可能使半导体性能得以改善，缺陷、损伤等得以消除。它特别适用于单片集成光电二级管/前放集成电路(PDIC)制作中离子注入后消除PDIC的应力和损伤。

主权项

1、一种单片光电集成光接收器制作中消除应力和损伤的方法，其特征是它采用下面的步骤：步骤1准备待退火的基片：所述基片是已经进行了光电二极管的离子注入工艺、待退火的基片；所述的基片可以仅包含一个光接收器，也可以含多个光接收器；步骤2确定需退火的区域：即基片上集成光接收器中的光电二极管的相应区域；对于光接收器阵列，即一个基片上含多个光接收器，则分别标注出每个光接收器需退火的区域(即每个PDIC中光电二极管)；步骤3通过调整光路，实现激光对准：对于含多个光接收器的基片，根据需要进行退火的光接收器的个数，利用分束器将激光分为与光接收器的个数相等的激光束，并且调整光路分别对准多个光接收器需退火的区域；步骤4启动激光器开关，对相应区域进行照射，实现激光局域退火；所需激光器对相应区域进行照射时间及照射次数根据具体要求确定。