[发明专利]具有基区局部重掺杂功率双极型晶体管无效
| 申请号： | 200410040217.1 | 申请日： | 2004-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN1722460A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 张波;陈万军;易坤;陈林;李肇基 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L29/73 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610054四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的一种具有基区局部重掺杂功率双极型晶体管，它是在现有的功率双极型晶体管的基区5局部重掺杂形成重掺杂基区9，所述的重掺杂基区9的掺杂类型与基区5的掺杂类型相同(指同为p型或同为n型)，其浓度大于基区5的掺杂浓度；重掺杂基区9位于基极电极1下方的基区5里面，且所述的重掺杂基区9和基极电极1紧密接触。与常规的功率双极型晶体管相比，采用这种基区局部重掺杂结构，除了能在基极处形成欧姆接触外，在具有在相同的击穿电压VCBO情况下，还能大大提高器件的电流增益。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 局部 掺杂 功率 双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种具有基区局部重掺杂功率双极型晶体管，它包括：基极电极(1)、发射极电极(2)、集电极电极(3)、发射区(4)、基区(5)、轻掺杂集电区(6)、重掺杂集电区(7)，其特征是它还包括重掺杂基区(9)；所述的重掺杂基区(9)的掺杂类型与基区(5)的掺杂类型相同(指同为p型或同为n型)，其浓度大于基区(5)的掺杂浓度；所述的重掺杂基区(9)位于基极电极(1)下方的基区(5)里面，且所述的重掺杂基区(9)和基极电极(1)紧密接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410040217.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
