[发明专利]一种含碳纳米管导电粉体的制备方法无效
| 申请号： | 200410040704.8 | 申请日： | 2004-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1750176A | 公开（公告）日： | 2006-03-22 |
| 发明（设计）人： | 赵社涛;林浩强;周固民;瞿美臻 | 申请（专利权）人： | 中国科学院成都有机化学有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B1/00;C01B31/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610041四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种含碳纳米管导电粉体的制备方法，是以无机粉体为载体均匀的负载至少一种的VIII族金属粒子，与足量的含碳气体接触，通过化学气相沉积反应在无机粉体上原位生长出碳纳米管，获得含碳纳米管的导电粉体。其体积电阻率小于50Ω·cm，且可通过控制碳纳米管生长量来控制体积电阻率的大小。可用来沉积碳纳米管的无机粉体有云母、石墨、碳黑、二氧化硅、二氧化钛、氧化锌、导电云母粉、硅藻土、硅灰石。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 导电 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种含碳纳米管导电粉体的制备方法，是以无机粉体为核心，通过在无机粉体表面原位生长碳纳米管实现表面包覆碳纳米管。其特征在于：(1)以无机粉体为载体，均匀的负载至少一种VIII族金属粒子；(2)在550-1000℃通过化学气相沉积反应在无机粉体上沉积出均匀分布的碳纳米管，获得含碳纳米管的导电粉体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院成都有机化学有限公司，未经中国科学院成都有机化学有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410040704.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种控制平均亮度的直方图均衡方法
- 下一篇：一种虚拟软件狗加密方法
