[发明专利]纵向环栅非均匀掺杂锗硅沟道CMOS器件

摘要

本发明提供的一种纵向环栅非均匀掺杂锗硅沟道CMOS器件，其特征是它包括：n－SiGe隔离层10、渐变n⁺→n^－掺杂SiGe层11、δ型分布p⁺掺杂SiGe层12、渐变n⁺→n^－掺杂SiGe层13，10、11、12和13层组成沟道区；p⁺型SiGe漏区14、Si盖帽层15。它是利用自建场和锗硅沟道来加速源端注入电子(空穴)速度并提高其电流密度，从而提高器件和电路速度。它具有较高的电子(空穴)迁移率，并可以抑制短沟道效应和漏感应势垒下降效应；从而获得高速、高性能、高集成度的新型器件。

主权项

1、一种纵向环栅非均匀掺杂锗硅沟道CMOS器件，它包括：n型硅衬底，p+型Si源区(1)、园桶型的栅氧化层(4)、园桶型的多晶硅层(5)、SiO2隔离区(6)、源极(7)、漏极(8)、栅极(9)；其特征是它还包括：n-SiGe隔离层(10)、渐变n+→n-掺杂SiGe层(11)、δ型分布p+掺杂SiGe层(12)、渐变n+→n-掺杂SiGe层(13)，(10)、(11)、(12)和(13)层组成圆柱形沟道区，由衬底到漏区依次为：n-SiGe隔离层(10)、渐变n+→n-掺杂SiGe层(11)、δ型分布p+掺杂SiGe层(12)、渐变n+→n-掺杂SiGe层(13)；p+型SiGe漏区(14)、Si盖帽层(15)；所述的渐变n+→n-掺杂SiGe层(11)和渐变n+→n-掺杂SiGe层(13)中n+的浓度1019 -1021/cm3均匀渐变到的n-浓度1014-1016/cm3，所述的Si盖帽层(15)位于园桶型栅氧化层和沟道区之间。