[发明专利]钛酸锶钡薄膜材料及制备方法无效

专利信息
申请号: 200410041323.1 申请日: 2004-07-06
公开(公告)号: CN1718561A 公开(公告)日: 2006-01-11
发明(设计)人: 朱雪斌;刘生满;宋文海;戴建明;孙玉平 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: C04B35/624 分类号: C04B35/624;C04B35/465;H01L27/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230031*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种钛酸锶钡薄膜材料及制备方法。材料包括金属基片,特别是金属基片上依次覆有Ba0.2~0.6Sr0.8~0.4TiO3种子层和BaXSr1-XTiO3薄膜;方法包括用常规方法获得金属基片,特别是按照Ba0.2~0.6Sr0.8~0.4TiO3的成分比,将醋酸钡、醋酸锶、三氟乙酸、乙酰丙酮和钛酸丁脂先后混合得到种子层前驱胶体,再将该胶体置于金属基片上,经甩膜、热解、退火得到种子层;按照BaXSr1-XTiO3 (0≤X≤1)的成分比,将醋酸钡、醋酸锶、钛酸丁脂和甲醇先后混合得到钛酸锶钡前驱胶体;再将此前驱胶体置于覆有种子层的金属基片上,经甩膜、热解和退火得到BaXSr1-XTiO3薄膜;重复得到薄膜的步骤,直至获得所需厚度的BaXSr1-XTiO3薄膜,从而制得高度取向的钛酸锶钡薄膜材料。它既适合后续钇钡铜氧薄膜的生长,也可直接应用于动态随机存储器中。
搜索关键词: 钛酸锶钡 薄膜 材料 制备 方法
【主权项】:
1、一种钛酸锶钡薄膜材料,包括金属基片,其特征在于所说金属基片上覆有Ba0.2~0.6Sr0.8~0.4TiO3种子层,所说Ba0.2~0.6Sr0.8~0.4TiO3种子层上覆有高度取向的BaXSr1-XTiO3薄膜。
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