[发明专利]一种制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法无效
| 申请号： | 200410041436.1 | 申请日： | 2004-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1599031A | 公开（公告）日： | 2005-03-23 |
| 发明（设计）人： | 张荣;修向前;俞慧强;陈琳;谢自力;郑有炓;顾书林;江若琏;施毅;韩平;朱顺明;胡立群 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C30B25/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法，利用铝酸锂或镓酸锂衬底制备高质量非极性GaN自支撑衬底，铝酸锂或镓酸锂衬底的清洗和处理放入反应器中后，升温至生长温度在800～950℃条件下，以NH3和HCl为原料气生长，直到生长完成。本发明的特点是：由于铝酸锂(001)或镓酸锂和GaN(11－20)的晶格常数基本一致，没有很大的结构失配，生长得到的GaN薄膜位错密度较低，质量较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 质量 极性 gan 支撑 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法，其特征是利用铝酸锂或镓酸锂衬底制备高质量非极性GaN自支撑衬底的方法，将铝酸锂或镓酸锂衬底的清洗和处理放入反应器中后，升温至生长温度在800～950℃条件下，以NH3和HCl为原料气生长，直到生长完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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