[发明专利]一种高纯度高活性镁基储氢合金制备工艺无效
申请号: | 200410041862.5 | 申请日: | 2004-09-03 |
公开(公告)号: | CN1598018A | 公开(公告)日: | 2005-03-23 |
发明(设计)人: | 李李泉;刘小峰 | 申请(专利权)人: | 南京工业大学 |
主分类号: | C22C1/04 | 分类号: | C22C1/04;C22C23/00 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人: | 徐冬涛;刘成群 |
地址: | 210009*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种高纯度高活性镁基储氢合金制备工艺。该工艺按镁基合金设计组份的摩尔配比称取各组份金属的粉末为原料,混合均匀,置于有一定压力保护气氛或还原气氛的反应器中,合成温度350-500℃,合成时间1-8小时,产物为高纯度镁基合金。使用该工艺制备的镁基合金,无激活处理首次吸氢量3.0wt%以上。本发明具有合成温度低、工艺简单、能耗低、产物高纯度高活性的特点,适合于镁基储氢合金工业化生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 纯度 活性 镁基储氢 合金 制备 工艺 | ||
【主权项】:
1、一种高纯度高活性镁基储氢合金制备工艺,其特征在于按镁基合金设计组份的摩尔配比称取各组分金属的粉末为原料,混合均匀,置于一定压力的保护气氛或还原气氛反应器中,合成温度350-500℃,合成时间1-8小时,产物为高纯度镁基合金。
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