[发明专利]静电放电保护装置有效
| 申请号： | 200410042024.X | 申请日： | 2004-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1691324A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 廖学坤;郑道 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H02H9/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;高龙鑫 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为一种静电放电保护装置，用于多个电源间，其中该装置包含：一第一开关，为一金属氧化物半导体晶体管；以及一检测电路，电性连接该第一开关与一内部电路；在静电放电发生时，该静电放电保护装置在该第一开关的开启状态时稳定电流下放电，并非在组件的崩溃特性下而放电。通过使用金属氧化半导体组件、栓锁检测电路与经自我对准金属硅化制备工艺的金属氧化物半导体晶体管等装置，使于静电放电发生时使一控制静电放电路径的开关开启，可维持内部电路保持在一定运作电流的静电放电保护装置，并不需于该晶体管的漏极使用硅化物隔离块来加强静电放电保护能力，而达到稳定运作效能与减少静电防护组件面积的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护装置 | ||
【主权项】：
1.一种静电放电保护装置，用于多个电源间，其中该装置包含：一第一开关，为一金属氧化物半导体晶体管；以及一检测电路，电性连接该第一开关与一内部电路；在静电放电发生时，该静电放电保护装置在该第一开关的开启状态时稳定电流下放电，并非在组件的崩溃特性下而放电。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联发科技股份有限公司，未经联发科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410042024.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：网络虚拟游戏方法
- 下一篇：用于提高硅集成电感品质因数的局部介质增厚方法
