[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

本发明揭示一种制造半导体器件的方法，该方法藉由形成一非挥发性存储器装置的一点状浮动栅极，以及藉由控制每点的三至四个电子来决定一存储器状态，而得以制造一低功率装置，并且该方法藉由限制因一隧道氧化物膜的局部缺陷部分所造成的泄漏仅在发在该部分的多点处，而得以降低对装置的影响，进而提高装置可靠性。该方法包括下列步骤：在一硅基板上要形成一预先确定底部结构处形成一隧道氧化物膜；一在该隧道氧化物膜上形成一点层；在该点层上相继形成一控制氧化物膜层及一控制栅极层；以及图案化该控制栅极层、该控制氧化物膜层、该点层及该隧道氧化物膜层成一预先确定形状，藉此形成一双栅。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在一硅基板上要形成一预先确定的底部结构处形成一隧道氧化物膜；在该隧道氧化物膜上形成一点层；在该点层上相继形成一控制氧化物膜层及一控制栅极层；以及将该控制栅极层、该控制氧化物膜层、该点层及该隧道氧化物膜层构图成一预先确定形状，以形成一双栅。