[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其修补方法无效
申请号: | 200410042272.4 | 申请日: | 2004-04-28 |
公开(公告)号: | CN1570742A | 公开(公告)日: | 2005-01-26 |
发明(设计)人: | 来汉中 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/136 | 分类号: | G02F1/136;G02F1/133;H01L29/786 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 台湾省新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种薄膜晶体管阵列基板,主要是由一基板、多个扫描配线、多个资料配线、多个薄膜晶体管、多个像素电极以及一修补线路所构成。扫描配线与资料配线配置于基板上以区分出多个像素区域。薄膜晶体管分别位于各像素区域内,并由对应扫描配线以及资料配线驱动。像素电极分别位于各像素区域内,以与对应的薄膜晶体管电性连接。本发明另提出一种薄膜晶体管阵列基板的修补方法,其主要是将修补线路与瑕疵扫描配线的断线处相连接,以将线瑕疵修补为二点瑕疵、单点瑕疵,甚至无瑕疵。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 及其 修补 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,包括:一基板;多数个扫描配线,配置于该基板上,该些扫描配线中包括至少一瑕疵扫描配线,该瑕疵扫描配线具有一断线处;多数个资料配线,配置于该基板上,其中该些扫描配线与该些资料配线是区分出多数个像素区域;多数个薄膜晶体管,每一该些薄膜晶体管是位于该些像素区域其中之一内,其中该些薄膜晶体管是由该些扫描配线以及该些资料配线驱动;多数个像素电极,每一该些像素电极是位于该些像素区域其中之一内,以与对应的该些薄膜晶体管其中之一电性连接,且每一该些像素电极的部分区域是位于对应的该些扫描配线其中之一的上方,以构成一储存电容;以及一修补线路,位于该断线处上方,以与该断线处两侧的该瑕疵扫描配线电性连接,其中该修补线路是与该些像素电极电性绝缘。
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