[发明专利]硅储存媒体及其控制器、控制方法以及应用资料框架格式无效

专利信息
申请号: 200410042321.4 申请日: 2004-05-17
公开(公告)号: CN1700348A 公开(公告)日: 2005-11-23
发明(设计)人: 谢祥安 申请(专利权)人: 万国电脑股份有限公司
主分类号: G11C8/12 分类号: G11C8/12;G11C11/39
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是关于一种硅储存媒体、硅储存媒体控制器及其控制方法、资料框架为格式的储存媒体。该硅储存媒体控制器,能充分利用储存空间,由增加关联对照表缓冲区以及定址对照模块,以包括系统端记录的前置描述元的资料框架,提供硅储存体控制器依据上述对照码产生系统存取位址与资料框架之间的关联对照表,藉以在进行存取作业时,迅速判断所对应资料框架实际储存位置,以进行后续读取或更新作业。在前置描述元中,除“资料框架”的对照码、起始位址、以及标示框架资料长度之外,更可包括压缩演算法区别码、参照资料表的指标等资讯,提供硅储存媒体控制器具有压缩/解压缩功能时作为建立关联对照表的依据。
搜索关键词: 储存 媒体 及其 控制器 控制 方法 以及 应用 资料 框架 格式
【主权项】:
1、一种硅储存媒体,适用于与一系统之间资料的读取与写入,其特征在于其包括:一记忆体,包括多数个记忆区块,每一该些记忆区块包括以一资料框架为单位的储存资料,该资料框架包括一前置描述元、复数个磁区资料以及一错误检查码,其中该前置描述元位于该资料框架的最前端;以及一控制单元,其包括:一关联对照表缓冲区;以及一定址对照模块,其中当该控制单元更新该资料框架时,亦更新该关联对照表缓冲区,并将一对照关系记录于该前置描述元,该定址对照模块记录一原始资料的位址,依据该系统下达的一读写存取指令位址搜寻该关联对照表缓冲区,取得对应的该记忆区块,并自对应的该记忆区块中读取所包含的该资料框架。
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