[发明专利]多晶硅的制作方法和使用多晶硅的开关器件有效
| 申请号： | 200410042335.6 | 申请日： | 2004-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1574225A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 金荣柱 | 申请（专利权）人： | LG.飞利浦LCD有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/00;H01L21/324;H01L21/306;H01L21/027;G03F7/00;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造多晶硅的方法，包括：在具有第一区域和围绕该第一区域的第二区域的基板上形成非晶硅半导体层；使用第一掩模在第二区域中形成多个平对准键；通过刻蚀第二区域中的半导体层而形成多个凸对准键，该多个凸对准键具有相对于基板的台阶；和参照这多个凸对准键对准第二掩模，以使第一区域中的半导体层结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制作方法 使用 开关 器件 | ||
【主权项】：
1.一种制造多晶硅的方法，包括在具有第一区域和围绕所述第一区域的第二区域的基板上形成非晶硅半导体层；使用第一掩模在所述第二区域中形成多个平对准键；由所述多个平对准键形成多个凸对准键；和使用第二掩模并使用所述多个凸对准键使所述第一区域中的半导体层结晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
