[发明专利]可避免电荷效应所导致电子束偏移的光罩制作方法无效
| 申请号： | 200410042423.6 | 申请日： | 2004-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1573558A | 公开（公告）日： | 2005-02-02 |
| 发明（设计）人： | 林政旻 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可避免电荷效应所导致电子束偏移的光罩制作方法，其步骤包括：提供一光罩，其中此光罩中具有一中央区域及一围绕该中央区域的外围区域；覆盖一阻剂层于中央区域与外围区域上；提供至少一预定图案；以及施行一电子束直写程序，将上述预定图案直写于阻剂层上，并直写于外围区域中一既定面积的阻剂层内，以形成至少一转移后的阻剂图案，且此转移后的阻剂图案覆盖部分上述外围区域，而上述外围区域是紧邻该光罩边缘且距光罩边缘一介于2～4mm的既定距离，且上述直写于外围区域上的既定面积仅占外围区域的整体面积的0～90％，以避免因电荷效应所导致的电子束偏移情形发生。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 电荷 效应 导致 电子束 偏移 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种可避免电荷效应所导致电子束偏移的光罩制作方法，包含下列步骤：提供一光罩，其中该光罩中具有一中央区域及一围绕该中央区域的外围区域；覆盖一阻剂层于该中央区域与该外围区域上；提供至少一预定图案；以及施行一电子束直写程序，将该预定图案直写于该阻剂层上，并直写于该外围区域中一既定面积的该阻剂层内，以形成至少一转移后的阻剂图案，且该转移后的阻剂图案覆盖部分该外围区域。
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