[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410042472.X | 申请日： | 2004-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1627522A | 公开（公告）日： | 2005-06-15 |
| 发明（设计）人： | 西乡薰;永井孝一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/102 | 分类号： | H01L27/102;H01L27/10;G11C11/22;H01L23/58;H01L23/48;H01L23/52;H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵淑萍 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底之上和上方的电路部分；覆盖所述电路部分的钝化膜；电极焊盘，所述电极焊盘以电极焊盘从所述钝化膜暴露出来的方式被提供在所述电路部分的外部；以及护圈图案，所述护圈图案被提供在所述电极焊盘和所述电路部分之间，以使所述护圈图案基本包围所述电路部分。所述护圈图案从所述半导体衬底的表面延伸到所述钝化膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底之上及上方的电路部分；覆盖所述电路部分的钝化膜；电极焊盘，所述电极焊盘以所述电极焊盘从所述钝化膜暴露出来的方式，被提供在所述电路部分的外部；和护圈图案，所述护圈图案被提供在所述电极焊盘和所述电路部分之间，以使得所述护圈图案基本包围所述电路部分，所述护圈图案从所述半导体衬底的表面延伸到所述钝化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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