[发明专利]ONO结构中的氧化层的形成方法

摘要

一种具有氧化硅/氮化硅/氧化硅(“ONO”)结构的半导体的形成方法，是先提供第一氧化硅层与氮化硅层覆盖于一具有存储器元件区与逻辑元件区的基底上，再图案化第一氧化硅层与氮化硅层，以定义出部分完成的ONO堆栈结构的底氧化物与氮化硅部位，并暴露出逻辑元件区域内的基底。在具有自由基氧化剂的环境下进行快速热回火工艺，以同时在氮化硅层所暴露出的表面上形成第二氧化硅层，并在基底上形成栅极氧化硅层。然后在完成的ONO堆栈结构以与栅极氧化层上沉积导电层。本发明可用以制造具有逻辑元件与含有ONO结构存储单元的存储器元件。其缩短工艺耗费时间，降低热预算，可避免氮化硅在后续清洗工艺中被暴露出来，增进了栅极的耦合比。

主权项

1.一种ONO结构的形成方法，其特征是，该方法包括：在一基底的表面上提供一氧化物-氮化物薄膜，该氧化物-氮化物薄膜包括：一第一氧化层，覆盖于该基底上；一氮化硅层，覆盖于该第一氧化层上；图案化该氧化物-氮化物薄膜，以于该基底上定义出一ONO堆栈结构的一底氧化物与一氮化硅部分，该底氧化物与该氮化硅部分具有一暴露出的侧壁，且该氮化硅部分具有一暴露出的表面；以及于一含有一自由基氧化剂的环境下，使该暴露的侧壁以及该暴露的表面暴露于一快速热氧化作用中，以于该图案化的氮化硅部分及该图案化的氧化物部分的该暴露的表面与该暴露的侧壁上形成一氧化层。