[发明专利]半导体的堆栈门及其制造方法

摘要

一种半导体的堆栈门及其制造方法，此方法先在基底上依序形成一门介电层、一多晶硅层与一硅化金属层，之后，再将其图案化，以形成一堆栈结构。随后，进行一氧化程序，以在堆栈结构的表面上依序形成一阻障层与一氧化硅层。之后，在基底上形成一间隙壁材料层，然后，回蚀刻间隙壁材料层、氧化硅层与阻障层，以裸露硅化金属层的表面，留下堆栈门的侧壁的阻障层与氧化硅层并形成一间隙壁。由于本发明在堆栈结构与间隙壁中多形成了一层阻障层，所以在进行氧化程序以形成氧化硅层时，氧气不易渗入多晶硅层与硅化金属层之间，因此，本发明可以解决公知多晶硅化金属产生孔洞、剥离的缺点。

主权项

1.一种半导体堆栈门的制造方法，其特征是，该方法包括：在一基底上依序形成图案化的一门介电层、一多晶硅层与一硅化金属层；以及进行一氧化程序，以于该堆栈结构的表面上依序形成一阻障层与一氧化硅层。