[发明专利]将信号引入屏蔽射频电路的方法与装置无效
申请号: | 200410042843.4 | 申请日: | 2004-05-26 |
公开(公告)号: | CN1574450A | 公开(公告)日: | 2005-02-02 |
发明(设计)人: | 刘易斯·R·达夫;罗伯特·E·阿尔曼;詹姆斯·P·斯蒂芬斯;迈克尔·T·鲍尔斯;迈克尔·B·怀特纳 | 申请(专利权)人: | 安捷伦科技有限公司 |
主分类号: | H01P5/08 | 分类号: | H01P5/08;H01P5/103;H01P3/08 |
代理公司: | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了将信号引入屏蔽射频电路的方法与装置。所述方法与装置提供了到在支撑接地平面的衬底上形成的微电路的接口。衬底支撑一个电介质结构,该电介质结构具有电连接到接地平面的金涂覆倾斜侧壁。该电介质结构支撑连接到微电路的传输线。同轴电缆连接到该传输线。该同轴电缆具有以一个角度剥开的末端,该角度基本与电介质结构的倾斜侧壁的角度相同,其中,中心导体的露出段接合到传输线,并且同轴电缆的外导体接合到电介质结构上的金镀层,使得同轴电缆的成角度的部分与厚膜电介质的斜角相配合。 | ||
搜索关键词: | 信号 引入 屏蔽 射频 电路 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种方法,用于将同轴电缆连接到位于在整体屏蔽的微电路中的至少一层厚膜电介质之上的传输线,所述方法包括:暴露所述同轴电缆的中心导体的一段;以一个角度剥开所述同轴电缆的一部分,所述角度与所述至少一层厚膜电介质上的斜角基本相同; 将所述至少一层厚膜电介质的所述斜角镀金;将所述中心导体的暴露段接合到所述传输线;以及将所述同轴电缆的外导体接合到所述至少一层厚膜电介质上的金镀层,使得所述同轴电缆的成角度的部分与所述厚膜电介质的所述斜角相配合。
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