[发明专利]蚀刻量检测方法、蚀刻方法和蚀刻装置

摘要

本发明提供一种蚀刻量检测方法、蚀刻方法和蚀刻装置，能够与掩模层的种类无关地正确检测被蚀刻层的蚀刻量。光La的一部分在光刻胶掩模层(316)的上面反射，得到反射光La1。光La的另一部分在孔H的底面反射，得到反射光La2。反射光La1与反射光La2相互干涉重合，产生干涉光Lai。光Lb的一部分在光刻胶掩模层(316)与多晶硅膜(304)的界面反射，得到反射光Lb1。光Lb的另一部分在光刻胶掩模层(316)的上面反射，得到反射光Lb2。反射光Lb1与反射光Lb2相互干涉重合，产生干涉光Lbi。使用干涉光Lai与干涉光Lbi，算出多晶硅膜(304)的蚀刻量。

主权项

1、一种蚀刻量检测方法，将布图后的掩模层作为掩模，对被处理体上的被蚀刻层实施蚀刻处理时，检测所述被蚀刻层的蚀刻量，其特征在于，具有如下工序：向所述被处理体照射具有第1波长的第1光，同时，照射具有与所述第1波长不同的第2波长的光；检测所述第1光在所述掩模层表面反射得到的第1反射光、与所述第1光在所述被蚀刻层中被蚀刻的被蚀刻部的底面反射得到的第2反射光干涉后产生的第1干涉光；检测所述第2光在所述掩模层表面反射得到的第3反射光、与所述第2光在所述掩模层与所述被蚀刻层的界面反射得到的第4反射光干涉后产生的第2干涉光；和根据所述第1干涉光与所述第2干涉光，算出所述被蚀刻部的蚀刻量。