[发明专利]字节操作非易失性半导体存储装置有效

专利信息
申请号: 200410043024.1 申请日: 2004-04-19
公开(公告)号: CN1542978A 公开(公告)日: 2004-11-03
发明(设计)人: 金成浩;李来寅;高光旭;裵金钟;金基喆;金辰熙;曹寅昱;金相秀 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L27/112;G11C16/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了一种字节操作非易失性半导体存储装置,其能够一次擦除一个字节的已存储的数据。字节存储单元可包括多个1字节存储晶体管的存储单元陈列。该些1字节存储晶体管可以沿一个方向排列,其每一个包括形成在有源区中的结区和沟道区。字节存储单元可包括字节选择晶体管。该选择晶体管可以设置在有源区中,并且包括直接与每个该1字节存储晶体管的结相邻的结区。该字节选择晶体管可以垂直于该些1字节存储晶体管排列方向地设置在该些1字节存储晶体管的上面或下面。
搜索关键词: 字节 操作 非易失性 半导体 存储 装置
【主权项】:
1.一种非易失性半导体存储装置,包括:半导体衬底,包括有源区和隔离区;多个1字节存储晶体管,沿第一方向排列,其中每个该1字节存储晶体管包括形成在半导体衬底的有源区中的结区和沟道区;以及字节选择晶体管,设置在有源区中,其中该字节选择晶体管包括直接与每个1字节存储晶体管的结相邻的结区。
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